(2026-09-02) 欣榮力拚半導體材料國產替代

資料來源: 工商時報 謝易晏 (https://www.ctee.com.tw/news/20260902700395-439901)

欣榮力拚半導體材料國產替代
深耕碳素與鋰電池負極材料逾30年，宜蘭廠打造本土高科技關鍵碳基、高溫材料研發生產基地

2026.09.02 03:00 工商時報 謝易晏 

欣榮宜蘭廠啟用，象徵邁向「半導體世代材料供應鏈」國產化替代重要的一步。

    成立5年的欣榮材料（GMC）由深耕碳素與鋰電池負極材料逾30年的專業團隊領軍，堅持關鍵技術自主，去年11月欣榮宜蘭廠啟用，建置從上游的碳材高溫純化、玻璃碳與CVD碳化矽表面塗層披覆，到精密CNC機械加工，打造一貫化垂直整合製程的品質與成本競爭力，這是本土重要半導體與高科技關鍵碳基、高溫材料研發與生產基地，更是欣榮邁向「半導體世代材料供應鏈」國產化替代重要的一步。

    近年在AI高算力晶片、半導體先進製程、化合物半導體等產能持續擴張下，帶動半導體製程設備耗材爆發性成長剛需；因應半導體設備耗材國產化需求，短短不到一年時間，欣榮宜蘭廠除既有高純石墨、玻璃碳與CVD-SiC塗層外，並開發出高比重鎢合金與CVI熱分解碳滲入技術，產品全面涵蓋半導體從前段長晶、磊晶、離子植入到後段封測的全方位耗材需求。透過深耕台灣半導體聚落策略下，欣榮團隊就近支援服務台灣世界級的晶圓、封測大廠與設備商，更以「在地化即時技術支援」與「短交期」策略，力求逐步取代進口產品的長交期痛點。推動企業向亞太地區關鍵碳基與高溫材料領導大廠目標邁進。

    「2025台灣創新技術博覽會發明競賽」中，欣榮材料以「半導體用高純石墨塊之純化方法」與「表面改性之石墨塊材玻璃碳塗層製造方法及複合材料」兩項發明專利技術勇奪雙金牌獎，展現團隊在材料科學領域的創新能量與技術領先地位。

欣榮今年前7月營收1.96億元新臺幣，年增達70.6％，表現優於預期；欣榮表示，下半年半導體與AI應用將採雙引擎成長策略，二大重點：一、CVD-SiC塗層與玻璃碳組件：針對下半年H2晶圓代工與先進封裝產能滿載的強勁需求，加大交貨力道，減少客戶對海外進口耗材的依賴。二、離子植入機與長晶爐耗材：鎖定高純度石墨與高溫鎢合金零組件的定期消耗與替換需求，提供短交期、高效能的在地化支援。擴大各項高階碳基耗材，在先進製程與AI運算晶片供應鏈中的市占率與規格導入認證。

    今年欣榮材料將維持「半導體／AI高溫材料」與「新能源鋰電池負極材料」雙軌並進的策略組合。

    在半導體與高科技材料領域：五大產品組合為高純石墨、石墨玻璃碳、CVD碳化矽（SiC）、熱分解碳CVI、高溫鎢合金零組件。主要應用目標設定為AI運算晶片製程、先進封裝（CoWoS等）、長晶與磊晶、離子植入、設備耗材。核心客戶鎖定台灣晶圓代工大廠、記憶體廠、設備商與先進封裝供應鏈。鋰電池負極材料規劃2萬噸產能，透過深耕人造石墨、MCMB碳微球、碳／矽多孔碳負極材料等產品線，鞏固中高端電池芯市場。

    欣榮強調，今年欣榮材料的年度營收目標核心，鎖定高毛利負極材料外，更要以宜蘭廠在半導體與AI供應鏈中的「國產化替代」紅利，大幅提高CVD-SiC塗層與超高純石墨耗材出貨比重，帶動整體毛利率與獲利能力向上增長。