(2026-09-23) 創新技術博覽會 欣榮奪雙金獎

創新技術博覽會 欣榮奪雙金獎
以兩項專利技術參展，連續兩年斬獲雙金牌，展現團隊優異技術實力
2026/09/23 工商時報 張秉鳳

2026台灣創新技術博覽會發明競賽，欣榮材料再斬獲雙金牌獎，總經理吳玉祥（左）與副總經理黃俊傑（右）開心領獎。

2026台灣創新技術博覽會19日圓滿閉幕，欣榮材料以「碳化矽表面塗層於石墨塊材與其複合材料」、「鋰電池多孔碳矽碳複合負極材料的製備方法」兩項專利技術參展；今年欣榮再獲發明競賽雙金牌，連續兩年斬獲雙金牌，展現團隊優異技術實力。

欣榮指出，CVD SiC塗層發明專利的核心創新，在於徹底打破傳統碳化矽塗層，容易因成分突變導致熱應力集中，進而在高溫循環下剝離的技術瓶頸。提出一套「電漿介面活化預處理」，結合「三維度梯度過渡層設計」的遞進式優化體系，精準解決介面缺陷問題。

該專利製備的碳化矽塗層在1,200°C～1,500°C高溫循環條件下，實現石墨與碳化矽塊材表面的SiC沉積，表現出優異的熱穩定性和介面結合強度，為高端半導體及航太相關領域提供可靠的應用材料。

CVD SiC塗層技術具極佳耐高溫與耐磨、優異化學惰性與高純度，是高階半導體蝕刻製程不可或缺的保護層。目前已用於MOCVD石墨承載盤、SiC長晶用導流筒、蝕刻（Etch）設備聚焦環、人造衛星反射鏡面，都有國內企業客戶或國家級研究單位測試承認中。

「鋰電池多孔碳矽碳複合負極材料的製備方法」專利技術（產品）創新核心在多孔結構設計，與梯度沉積機制耦合應用，有效突破現有矽碳負極材料，在結構控制與沉積均勻性的瓶頸。

F其不僅顯著提升比表面積，也同步優化鋰離子傳輸與矽負載空間配置，解決傳統單一孔徑設計，難以兼顧多功能性問題。其技術指標：克電容量達1，800～2，100mAh／g、體積膨脹率（外部）＜20％、首次庫倫效率88％～92％、優異的快充與倍率性能。

主要用於高階消費電子產品、電動車與高倍率（4C／6C）快充電池、電動航空與低空經濟（eVTOL及無人機）、半固態與全固態電池、高功率電動工具與戶外儲能，產品已獲得國內外客戶認證與採用。